优发国际

新聞中心

東芝推出新一代Super Junction功率MOSFET-TK040N65Z

 2018-09-26

東芝推出新一代Super Junction功率MOSFET

進一步提升電源供應系統效率 -

 N-Toshiba-1

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出新一代650V Super Junction功率MOSFET – TK040N65Z其用於資料中心的伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)及其他工業應用。此IC已開始量產出貨。

TK040N65Z為東芝DTMOS VI系列首款650V元件,支援57A連續汲極電流(ID)及228A脈衝電流(IDP)。提供0.04Ω(0.033Ω典型值)的超低汲源極導通電阻RDS(ON),以減少電源應用的損耗。更低的電容設計,使其IC成為現代高速電源應用首選元件。

改善並壓低主要性能係數- RDS(ON) x Qgd,電源效率隨之提高。相較於上一代DTMOS IV-H產品,TK040N65Z在此係數降低了40%,表示在2.5kW PFC電路效率表現上將會顯著地上升0.36%[1]

新產品為工業標準TO-247封裝,不論在傳統設計或是新應用上皆便於使用。

 

產品特點

-             降低RDS(ON) × Qgd減少切換耗損進而提升效率

 

應用方面

-             資料庫(伺服器電源供應等)

-             太陽能發電機功率調節器

-             不斷電系統

 

產品規格

產品型號

封裝

TO-247

絕對最大額定值

Drain-source voltage VDSS (V)

650

Drain current (DC) ID (A)

57

最大導通電阻 RDS(ON) max @VGS= 10V (Ω)

0.040

Total gate charge Qg typ. (nC)

105

Gate-drain charge Qgd typ. (nC)

27

輸入電容 Ciss typ. (pF)

6250

[1] 此數值由東芝測試於2018年6月(2.5kW PFC線路,輸出為2.5kW)

 

想要進一步瞭解代理商資訊,請造訪詮鼎集團

想要瞭解更多TOSHIBA產品資訊,請造訪http://

或洽下方聯絡窗口詢問。